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TS-Bonding (Thermosonic-Ball-Wedge-Bonding)


Das TS-Bonding Verfahren erfolgt mit Golddraht.

Der Drahtdurchmesser kann hier zwischen 12µm und 75µm liegen, je nach Anwendungsfall der fertigen Schaltung.

Beim Thermosonic-Ball-Wedge-Verfahren wird der Golddraht durch eine Keramik,-oder Sintermetall-       kapillare geführt.

Im ersten Schritt nun wird mit einer Hochspannungsentladung  eine Kugel an das aus der Kapillare           hervorstehende Drahtende geschmolzen.

Diese wird mit Wärme, Druck und Ultraschall mit der Anschlussstelle auf dem Die verschweißt. 

Im zweiten Schritt zieht die Kapillare  den Draht von der Chipoberseite hinunter zum Anschlusspad auf    der Leiterplatte.

Hier wird wiederum mit Wärme, Druck und Ultraschall , der Draht verschweißt und abgerissen.

An das nun aus der Kapillare hervorstehnende Drahtende   wird erneut mit Hochspannung eine Kugel  angeschmolzen und der Vorgang beginnt von Neuem.