Wirebonden
Das Wirebonding, auch Drahtbonden genannt,ist ein Prozessschritt in der Mikroelektronik, bei welchem die zuvor aufgebrachten Dies mit hauchdünnen Drähten, (12µm - 75µm) mit der externen Beschaltung der Leiterplatte, verbunden werden. Hier gibt es zwei wesentliche Verfahren. Das Thermosonic-Ball-Wedge-Bonden (TS-Bonden) und das Ultraschall-WedgeWedge-Bonden (US-Bonden).
Sowohl das Thermosonic-Ball-Wedge-Bonden (TS-Bonden), als auch das Ultraschall-WedgeWedge-Bonden (US-Bonden) kommen bei uns zum Einsatz.
TS-Bonding
Das TS-Bonding Verfahren erfolgt mit Golddraht. Der Drahtdurchmesser kann hier zwischen 12µm und 75µm liegen, je nach Anwendungsfall der fertigen Schaltung. Beim Thermosonic-Ball-Wedge-Verfahren wird der Golddraht durch eine Keramik,-oder Sintermetall-kapillare geführt.
US-Bonding
Üblicherweise verwendet man beim US-Bonding-Verfahren Aluminiumdraht. Es kann aber auch mit mit speziellen Meißeln Golddraht im Wedge-Wedge-Verfahren gebondet werden.
