Wirebonden

Das Wirebonding, auch Drahtbonden genannt,ist ein Prozessschritt in der Mikroelektronik, bei welchem die zuvor aufgebrachten Dies mit hauchdünnen Drähten, (12µm - 75µm) mit der externen Beschaltung  der Leiterplatte,  verbunden werden. Hier gibt es zwei wesentliche Verfahren. Das Thermosonic-Ball-Wedge-Bonden (TS-Bonden) und das Ultraschall-WedgeWedge-Bonden (US-Bonden).


Sowohl das Thermosonic-Ball-Wedge-Bonden (TS-Bonden), als auch das Ultraschall-WedgeWedge-Bonden (US-Bonden) kommen bei uns zum Einsatz.






TS-Bonding

Das TS-Bonding Verfahren erfolgt mit Golddraht. Der Drahtdurchmesser kann hier zwischen 12µm und 75µm liegen, je nach Anwendungsfall der fertigen Schaltung. Beim Thermosonic-Ball-Wedge-Verfahren wird der Golddraht durch eine Keramik,-oder Sintermetall-kapillare geführt.


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US-Bonding

Üblicherweise verwendet man beim US-Bonding-Verfahren Aluminiumdraht. Es kann aber auch mit mit speziellen Meißeln Golddraht im Wedge-Wedge-Verfahren gebondet werden.


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