TS-Bonding (Thermosonic-Ball-Wedge-Bonding)

Das TS-Bonding Verfahren erfolgt mit Golddraht. Der Drahtdurchmesser kann hier zwischen 12µm und 75µm liegen, je nach Anwendungsfall der fertigen Schaltung. Beim Thermosonic-Ball-Wedge-Verfahren wird der Golddraht durch eine Keramik,-oder Sintermetall-kapillare geführt.

Im ersten Schritt nun wird mit einer Hochspannungsentladung  eine Kugel an das aus der Kapillare hervorstehende Drahtende geschmolzen.


Diese wird mit Wärme, Druck und Ultraschall mit der Anschlussstelle auf dem Die verschweißt. Im zweiten Schritt zieht die Kapillare den Draht von der Chipoberseite hinunter zum Anschlusspad auf der Leiterplatte. Hier wird wiederum mit Wärme, Druck und Ultraschall, der Draht verschweißt und abgerissen. An das nun aus der Kapillare hervorstehende Drahtende wird erneut mit Hochspannung eine Kugel  angeschmolzen und der Vorgang beginnt von Neuem.